虹揚科技超低導通電壓(VF)橋式整流器系列(封裝6KBJGBU/JA)采用自制的外延(EPI)+平面工藝(Planar)結構制程技術，

其通過增加截止環和終端鈍化層，多次的光照制程, 來實現超低導通電壓(VF), 較低的高溫漏電流，優良的可靠性. 適用于各種應用中的橋式整流器，進而提升整體電源效能和更穩定的可靠度。

因采用外延(EPI)+平面工藝(Planar)結構制程技術, 故反向恢復QRR/IRM小，恢復特性軟，EMI特性優, VF弱溫度系數，較低的高溫漏電流(IR= 10uA@125°C), 正反向折中特性好，即便如此嚴苛的應用環境下, 也能確保客戶應用上的可靠性和穩定性。一般用于要求高的高功率領域。包括AI電源、 服務器電源、PC電源(80+白金/鈦金PC電源)、通信電源、游戲機電源等高功率應用。

?正向壓降TJ=150° VF:0.79V Max
?額定電流覆蓋10A至35A
?最大浪涌電流400A
?提供GBU GBJ封裝

專為高溫、高效電源系統而優化

目標應用包含：
? AI與云端服務器電源
? 電信與網通設備
? 高效能PC與游戲主機電源
? 備援與工業級電源系統
? USB PD >100 W快充電源方案
? 55吋以上大型電視與顯示器

平面工藝(Planar)結構制程技術的橋堆在相同應用條件下, 溫升優于常規LOW VF(GPP)將近10度, 提升客戶應用上的可靠性和穩定性及壽命。

平面工藝(Planar)結構制程技術, 在超低導通電壓(VF)下, 效率均優于常規VF(GPP). 助力客戶提效降耗,協助客戶在高功率領域的應用。

憑借外延+平面工藝的創新制程，在導通電壓、反向耐壓、漏電性能等方面表現卓越，以超低損耗、高可靠性的優勢，為AI電源、服務器電源等高端功率領域的能效提升與穩定運行提供強力支撐，彰顯出其在功率器件領域的技術領先性與市場競爭力。